Power Electronics Component MOSFET and IGBT | पावर इलेक्ट्रॉनिक्स घटक MOSFET और IGBT

September 20, 2024 ITI Exam

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Q1. What is the full form of the MOSFET? / MOSFET का पूर्ण रूप क्या है?

(A) Medium Oscillator Signal FET

(B) Minimum Output Signal FET

(D) Metal Organic Serial FET

Q2. What is the name of this special type electronic device with four connections? / चार विशेष कनेक्शन वाले इस विशेष प्रकार के इलेक्ट्रॉनिक उपकरण का नाम क्या है?

(A) High frequency bipolar transistor / हाई फ्रीक्वेंसी बाइपोलर ट्रांसिस्टर

(B) Junction field effect transistor / जंक्शन फील्ड इफ़ेक्ट ट्रांजिस्टर

(D) MOSFET TETRODE / MOSFET टेटरॉड

Q3. What is the name of electronic device symbol? / इलेक्ट्रॉनिक उपकरण प्रतीक का नाम क्या है?

(A) U.J.T

(B) F.E.T

(C)TRIAC

(D) DIAC

Q4. How many layers of PN - junctions are used in SCR fabrication? / SCR निर्माण में PN - जंक्शनों की कितनी परतें उपयोग की जाती हैं?

(A) Two layer two junctions / दो परत दो जंक्शन

(B) Four layer three junctions / चार परत तीन जंक्शन

(D) Three layer four junctions / तीन परत चार जंक्शन

Q5. What is the advantage of IGBT? / IGBT का क्या फायदा है?

(A) Low driving power / लो ड्राइविंग पॉवर

(B) Low gate signal power / कम गेट सिग्नल पावर

(D) Used to isolate logic circuits / लॉजिक सर्किट को अलग करने के लिए उपयोग किया जाता है

Q6, What is the name of electronic symbol? /' इलेक्ट्रॉनिक प्रतीक का नाम क्या है?

(A) Silicon controlled rectifier / सिलिकॉन कण्ट्रोलड रेक्टिफ़ायर

(B) FET N-channel / FET N - चैनल

(D) Unijuntion transistor /' युनिजंक्शन ट्रांजिस्टर

Q7. What is the name of the electronic component symbol? / इलेक्ट्रॉनिक कॉम्पोनेन्ट प्रतीक का नाम क्या है?

(A) N- channel depletion type MOSFET / N- चैनल डिप्लीशन टाइप MOSFET

(B) P- channel depletion type MOSFET ./ P- चैनल डिप्लीशन टाइप MOSFET

(D) P- channel enhancement type MOSFET / P- channel एन्हांसमेंट प्रकार MOSFET

Q8. What is the name of the electronic component symbol? / इलेक्ट्रॉनिक कॉम्पोनेन्ट प्रतीक का नाम क्या है?

(A) P-channel depletion type MOSFET / P चैनल MOSFET डिप्लीशन टाइप

(B) N-channel depletion type MOSFET / N- चैनल MOSFET डिप्लीशन टाइप

(D) N-channel Enhancement type MOSFET / N- चैनल एन्हांसमेंट प्रकार MOSFET

Q9. Which voltage level is reached to increase the current through DIAC rapidly? / DIAC के माध्यम से करंट को तेजी से बढ़ाने के लिए कौन से वोल्टेज स्तर तक पहुंचा जाता है?

(A) Cut in voltage / वोल्टेज में कटौती

(B) Zener voltage / जेनर वोल्टेज

(D) Break down voltage / बिजली की ख़राबी

Q10. What is the maximum blocking voltage of very high current handling IGBT modules? / IGBT मॉड्यूल को नियंत्रित करने वाले उच्च वर्तमान वोल्टेज का अधिकतम अवरोधक वोल्टेज क्या है?

(A) 1000 V

(B) 440 V

(D) 6000 V

Q11. How the lamp failures caused by the high inrush currents in lamp dimmer circuits using TRIAC is eliminated? / TRIAC का उपयोग करके लैंप डिमर सर्किट में उच्च दबाव धाराओं के कारण लैंप विफलताओं को कैसे समाप्त किया जाता है?

(A) By the fuse / फ्यूज द्वारा

(B) Using MCB / MCB का उपयोग करना

(D) By soft start circuit / सॉफ्ट स्टार्ट सर्किट द्वारा

Q12. How gate terminal is biased in JFET? / JFET में गेट टर्मिनल कैसे बायस्ड होते है?

(A) AC supply function / एसी सप्लाई फंक्शन

(B) Forward biased / फॉरवर्ड बायस्ड

(D) Dual supply function / ड्यूल सप्लाई फंक्शन

Q13. Which current flows in TRIAC between MT1 and MT2? / MT1 और MT2 के बीच TRIAC में कौन सा प्रवाह होता है?

(A) Conventional current / कन्वेंशनल करंट

(B) Principal current / प्रिंसिपल करंट

(D) Leakage current / लीकेज करंट

Q14. What is the name of electronic component symbol? / इलेक्ट्रॉनिक कॉम्पोनेन्ट प्रतीक का नाम क्या है?

(A) JFET

(B) IGBT

(D) N channel MOSFET depletion type / N- चैनल MOSFET डिप्लीशन टाइप

Q15. What is the switching speed of solid state relays? / सॉलिड स्टेट रिले की स्विचिंग गति क्या है?

(A) 10 to 60 nano seconds

(B) 1 to 25 nano seconds

(D) 1 to 100 milli seconds

Q16.What is the code number of TRIAC? / TRIAC की कोड संख्या क्या है?

(A) BFW10

(B) 2N2646

(D) 2N1597

Q17. What is the use of the test circuit? / परीक्षण सर्किट का उपयोग क्या है?

(A) To test the working condition of FET / FET की कामकाजी स्थिति का परीक्षण करने के लिए

(B) To test the working condition of UJT / UJT की कामकाजी स्थिति का परीक्षण करने के लिए

(D) To test the working condition of LDR / LDR कार्य स्थिति का परीक्षण करने के लिए

Q18. What is the maximum drain- source voltage, VDS for the JFET BF 245B? / JFET BF 245B के लिए अधिकतम ड्रेन-सोर्स वोल्टेज, VDS क्या है?

(A) 20 V

(B) 10 V

(D) 40 V

Q19. What is the purpose of TRIAC circuit? / TRIAC सर्किट का उद्देश्य क्या है?

(A) Switching mode power supply / स्विचिंग मोड बिजली की आपूर्ति

(B) Phase- control for universal motors / यूनिवर्सल मोटर्स के लिए चरण नियंत्रण

(D) Digital to Analog converter / डिज़िटल से एनालॉग कन्वर्टर

Q20. Which device is a unipolar transistor? / कौन सा उपकरण एकध्रुवीय ट्रांजिस्टर है?

(A) UJT

(B) FET

(D) BJT

Q21. What is the name of the region marked ’X’ on the UJT characteristics curve? / UJT विशेषताओं वक्र पर ʹXʹ के रूप में चिह्नित क्षेत्र का नाम क्या है?

(A) Saturation region / संतृप्ति क्षेत्र

(B) Peak current region / पीक वर्तमान क्षेत्र

(D) Negative resistance region / नकारात्मक प्रतिरोध क्षेत्र

Q22. What is the specified gate voltage (VGT) of the TRIAC TIC 201D? / TRIAC TIC 201D का निर्दिष्ट गेट वोल्टेज (VGT) क्या है?

(A) 1.5 V

(B) 1.7 V

(D) 2.5 V

Q23. Which is the package type for the JFET BFW10? / JFET BFW10 के लिए पैकेज प्रकार कौन सा है?

(A) TO-62

(B) TO-72

(D) TO-82

Q24. What is the maximum drain current, ID for BF 245B? / BF245B के लिए अधिकतम ड्रेन करंट ID क्या है?

(A) 15mA

(B) 25mA

(D) 35mA

Q25. What is the gate current (Ig) of the JFET, when reverse biased? / रिवर्स पक्षपाती होने पर, JFET का गेट करंट (Ig) क्या है?

(A) Practically very low / व्यावहारिक रूप से बहुत कम है

(B) Practically zero / व्यावहारिक रूप से शून्य

(D) Practically infinity / व्यावहारिक रूप से अनंत

Electronic Mechanic 1st Year Module 10 Power Electronics Component MOSFET and IGBT

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